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Latest update: 31/03/2020 16:43:21

東北大学マイクロシステム融合研究開発センター試作コインランドリ

微細加工を中心としたものづくりを支援します!

センサなどのMEMSをはじめとする微小な機械電子部品の試作開発から製品化までを担う100台以上の設備を保有しています。皆様に時間単位でご利用いただけるようになっており、経験豊富な技術スタッフが支援いたしますので、お気軽にご利用ください。技術相談も大歓迎です。

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Sales Pitch

フォトマスク作製、リソグラフィ
レーザ描画装置
<フォトマスク作製>
Heidelberg Instruments社 DWL2000
クロムマスク作製:最小0.7µmパターン
エマルジョンマスク作製:最小5μmパターン
データ形式:GDSII、DXF、BMP、PNG

<直接描画>
Heidelberg Instruments社 DWL2000
最小0.7µmパターン
2.5次元パターンを形成するグレイスケールリソグラフィが可能
小片~8インチ角基板

Heidelberg Instruments社 MLA150
最小1µmパターン
高速描画可能(1,100mm2/min)
裏面アライメント可能
小片~8インチ角基板
コンタクトアライナ
最小0.7µmパターン
小片~6インチ
裏面アライメント可能
電子線描画
10nm以下のパターン形成可能
小片~6インチ
成膜
CVD
<PECVD>
3台を保有しており、SiN、 SiO2(SiH4ベース、TEOS)、SiON、アモルファスSiの成膜が可能。SiN、SiO2については、それぞれ応力制御が可能。
小片~8インチ

<LPCVD>
3チューブ保有しており、SiN、SiO2、SiON、PolySiの成膜が可能。
小片~6インチ

<熱CVD>
Siエピタキシャル成長、Doped polySi(P、B)の成膜、低応力厚膜Epipoly-Si
スパッタ・蒸着
目的に応じて装置を使いわけ。基板冷却スパッタ(リフトオフも可能)、基板加熱スパッタ(最高700℃)、強磁性体対応、反応性スパッタ、自動搬送付きなど
小片~8インチ
酸化拡散、不純物導入
熱酸化
Siウェハ上への熱酸化膜形成
ドライ酸化、ウェット酸化
膜厚10nm~10µm程度まで実績あり
小片~6インチ
熱拡散
リン(P)、ボロン(B)の導入が可能。
小片~6インチ
イオン注入、熱処理
<イオン注入>
リン(P)、ボロン(B)の導入が可能。
10~180keV
小片~4インチ

<熱処理>
ランプアニール、電気炉
最高1200℃
小片~6インチ

Other presentation

ナノメートルからmmオーダの微小構造体を形成することができます。扱う材料はシリコンを中心としていますが、ガラス、圧電材料、金属、ポリマーと多岐に渡ります。センサなどのデバイスのみならず、薄膜成膜やエッチングなどの単工程でのご利用も大歓迎です。

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